電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，專(zhuān)用型存儲(chǔ)芯片通常有特定的應(yīng)用需求，或是在特定的市場(chǎng)細(xì)分中有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的品類(lèi)主要包括NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM。

 

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR Flash、SLC NAND Flash屬于非易失性存儲(chǔ)，在斷電后也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。

 

利基型DRAM：當(dāng)前產(chǎn)品包括LPDDR2/3、DDR2/3以及容量在8 Gb及以下的DDR4/LPDDR4，并將逐步向更大容量。主要面向消費(fèi)及網(wǎng)通產(chǎn)品、智能家居、汽車(chē)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域，生命周期較大宗DRAM更長(zhǎng)。

 

NOR Flash：相比于NAND Flash，NOR Flash具有更快的讀取速度和更小的存儲(chǔ)容量，但寫(xiě)入速度相對(duì)較慢。NOR Flash憑借其快速的隨機(jī)訪問(wèn)能力和較低的讀取錯(cuò)誤率，通常用于存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼和固件；廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、PC、可穿戴設(shè)備、汽車(chē)、工業(yè)控制等終端中需要快速啟動(dòng)和高可靠性的場(chǎng)景。

 

SLC NAND Flash：相比于NOR Flash，NAND Flash具有容量較大、寫(xiě)入速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而應(yīng)用廣泛。相比多級(jí)(MLC/ TLC)NAND Flash，SLC NAND Flash在擦寫(xiě)壽命和數(shù)據(jù)安全性上有顯著優(yōu)勢(shì)，適合工業(yè)邊緣存儲(chǔ)、網(wǎng)通、消費(fèi)電子、汽車(chē)等對(duì)較大容量和高可靠性并存的場(chǎng)景。

 

專(zhuān)用型存儲(chǔ)芯片全球市場(chǎng)規(guī)模

 

2024年，專(zhuān)用型存儲(chǔ)全球市場(chǎng)規(guī)模為135.9億美元，其中利基型DRAM貢獻(xiàn)85.1億美元，NOR Flash為28億美元及SLC NAND Flash為23.1億美元。預(yù)計(jì)2025年至2029年間，專(zhuān)用存儲(chǔ)市場(chǎng)將因端側(cè)AI和汽車(chē)電子等領(lǐng)域?qū)Φ凸?、高可靠性和定制化存?chǔ)解決方案的持續(xù)需求而維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模將以7.1%的復(fù)合年增長(zhǎng)率持續(xù)擴(kuò)張，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)208.2億美元。細(xì)分來(lái)看，預(yù)計(jì)利基型DRAM將增至132.1億美元，NOR Flash增至41.8億美元，SLC NAND Flash將增至34.4億美元。

 

整體存儲(chǔ)芯片行業(yè)具有一定周期性，過(guò)去二十年來(lái)呈現(xiàn)約4年一輪的周期。2023年，由于存儲(chǔ)芯片廠商此前持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，疊加全球經(jīng)濟(jì)增速放緩，市場(chǎng)出現(xiàn)了顯著下行、跌入谷底，而2024年由于供需關(guān)系改善，疊加AI需求推動(dòng)，市場(chǎng)大幅反彈、開(kāi)啟新一輪增長(zhǎng)，且預(yù)計(jì)近兩年仍將保持上行周期。而長(zhǎng)期會(huì)呈現(xiàn)波動(dòng)上升趨勢(shì)。專(zhuān)用型存儲(chǔ)市場(chǎng)正逐步脫離商品存儲(chǔ)周期，領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)制造商市場(chǎng)份額穩(wěn)步上升。

 

 

市場(chǎng)格局

NOR Flash

 

2024年全球NOR Flash市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)出相對(duì)穩(wěn)定和高度集中的特點(diǎn)，前 3大企業(yè)合計(jì)約占市場(chǎng)總規(guī)模的63.2%。其中，兆易創(chuàng)新2024年的收入約為512.2百萬(wàn)美元，市場(chǎng)份額約為18.5%，在全球企業(yè)中排名第二，也是排名最高的中國(guó)內(nèi)地企業(yè)。另外，排名第一的為華邦電子，第三位為旺宏電子。

 

 

SLC NAND Flash

 

2024年，全球SLC NAND Flash的市場(chǎng)份額高度集中于海外及中國(guó)臺(tái)灣省廠商， 前三大企業(yè)共占市場(chǎng)總值69.4%。兆易創(chuàng)新憑借50.0百萬(wàn)美元的業(yè)務(wù)收入位列全球SLC NAND Flash市場(chǎng)第六，也是排名最高的中國(guó)內(nèi)地企業(yè)。

 

 

利基型DRAM

 

2024年，全球利基型DRAM的市場(chǎng)份額高度集中在海外大廠企業(yè)，前三家企業(yè)合計(jì)約占市場(chǎng)總規(guī)模的69.1%。其中，兆易創(chuàng)新2024年的收入約為146.4百萬(wàn)美元，市場(chǎng)份額約為1.7%，在全球企業(yè)中排名第七，也是排名第二的中國(guó)內(nèi)地企業(yè)。

 

 

專(zhuān)用型存儲(chǔ)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素

AI智能終端普及催升專(zhuān)用存儲(chǔ)容量需求。隨著消費(fèi)類(lèi)終端設(shè)備（如智能手機(jī)、PC、可穿戴設(shè)備、智能家居產(chǎn)品）不斷向AI化轉(zhuǎn)型，設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)能力的要求顯著提升。這類(lèi)設(shè)備需要更大容量、更快速、更可靠的芯片來(lái)支撐多模態(tài)交互、大模型運(yùn)行等智能功能，驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用型存儲(chǔ)芯片向更大容量方向演進(jìn)。另外，AI也催生了大量新興應(yīng)用場(chǎng)景，例如AI眼鏡、具身智能等高速增長(zhǎng)的下游需求領(lǐng)域，有望成為未來(lái)存儲(chǔ)芯片的另一增長(zhǎng)引擎。

 

汽車(chē)三化驅(qū)動(dòng)車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)需求。汽車(chē)三化對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性、耐溫耐振動(dòng)能力、以及實(shí)時(shí)讀寫(xiě)性能提出了更高的要求。例如，智能駕駛場(chǎng)景中，攝像頭與激光雷達(dá)產(chǎn)生的海量傳感器數(shù)據(jù)需要本地高速緩存與穩(wěn)定寫(xiě)入，推動(dòng)高性能NOR Flash的需求激增；同時(shí)，智能座艙所承載的車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、多媒體流處理與OTA固件升級(jí)，也對(duì)利基型DRAM提出更高標(biāo)準(zhǔn)以及更大的需求。隨著全球電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片正成為繼消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域之后，又一重要增長(zhǎng)引擎。

 

AI時(shí)代給各類(lèi)型存儲(chǔ)企業(yè)帶來(lái)機(jī)遇。AI時(shí)代下，云側(cè)與端側(cè)設(shè)備均存在海量的存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)創(chuàng)造發(fā)展機(jī)遇。而在整體存儲(chǔ)大賽道中，各類(lèi)企業(yè)的業(yè)務(wù)策略與重心有所不同。海外大廠以面向云側(cè)設(shè)備的高世代大宗存儲(chǔ)產(chǎn)品的投入為發(fā)展核心，而以公司為代表的存儲(chǔ)廠商則憑借專(zhuān)用存儲(chǔ)領(lǐng)域的新技術(shù)、新產(chǎn)品擁抱AI時(shí)代下端側(cè)設(shè)備帶來(lái)的海量存儲(chǔ)需求。在此過(guò)程中，專(zhuān)用存儲(chǔ)賽道出現(xiàn)的新產(chǎn)品與技術(shù)形態(tài)，為企業(yè)創(chuàng)造出新的盈利空間。