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車規(guī)級功率器件需求只增不減,國內外企業(yè)紛紛瞄準碳化硅擴產

2023-08-09 來源:賢集網
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關鍵詞: 半導體 晶圓 氮化硅

上周,功率半導體大廠英飛凌宣布,計劃在未來五年內投資高達50億歐元,用于在馬來西亞居林建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠,居林廠計劃投資總額從20億歐元增至70億歐元。

有意思的是,今年2月Wolfspeed計劃在德國薩爾州建設號稱全球最大的8英寸SiC工廠。英飛凌大手筆布局馬來西亞8英寸SiC工廠,或將與Wolfspeed進行競爭,碳化硅產能大戰(zhàn)一觸即發(fā)。

實際上,得益于新能源汽車等行業(yè)快速發(fā)展,碳化硅功率器件迎來發(fā)展空間,國內外企業(yè)已經紛紛瞄準碳化硅擴產。



據化合物半導體市場統(tǒng)計,除了Wolfspeed之外,今年上半年還有包括意法半導體、三菱電機、羅姆、Soitec、安森美等眾多企業(yè)紛紛擴產,其中,意法半導體在1月宣布斥資40億美元用于擴產12英寸晶圓和增加SiC制造能力,又在6月與三安光電合資成立8英寸SiC器件制造合資企業(yè),建設總額預計約達32億美元。

中國本土廠商方面,碳化硅相關擴產項目也達到7起。其中,中車時代電氣投資111.19億元計劃建設中低壓功率器件產業(yè)化項目,包括在宜興子項目(58.26億元)、株洲子項目(52.93億元)。

長飛先進也擬建設第三代半導體功率器件生產項目,建設內容包括外延、晶圓制造、封測等產線,建設完成后將形成6英寸SiC晶圓及外延36萬片/年,功率器件模塊6100萬個/年。

比亞迪則計劃斥資2億元,在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車生產基地建設SiC外延中試線量產項目,擴建后將新增SiC外延片產能6000片/年,總產能達18000片/年。


車用碳化硅需求緊缺

在有新能源汽車行業(yè)“風向標”之稱的特斯拉宣布未來將大幅削減用量之后,碳化硅并沒有就此跌落“神壇”。相反,隨著全球特別是中國新能源汽車市場滲透率的快速提升,強勁的上車需求疊加巨大的產能缺口,這條“賽道”愈發(fā)呈現(xiàn)出欣欣向榮之勢。



羅蘭貝格全球合伙人時帥指出,碳化硅元器件核心的優(yōu)勢突出。第一,能量損耗低,導通電阻可至少降低至原來的1/100,開關頻率更快,電控系統(tǒng)效率可提高至99.5%;耐高壓/耐高溫,更易被擊穿,可支持800V甚至1200V整車平臺,帶來更強的電氣化功能支持以及更優(yōu)的能耗;輕量化,尺寸可大幅減小至原來的1/10,因此功率模塊體積更小、更緊湊。

更進一步來說,碳化硅的應用能夠非常直接地提升新能源汽車的續(xù)駛里程。假設純電動汽車逆變器的功率模塊全部采用碳化硅元器件,整車續(xù)駛里程可增加5%~10%。此外,碳化硅的應用也是搭建高壓平臺(800V及以上)的前提條件,從而實現(xiàn)對超級快充功能的支持(4C及以上);同時,還能帶來更強大的智能化/電氣化功能。

正因如此,汽車產業(yè)鏈上游的芯片企業(yè)和一級零部件供應商正在瘋狂押注碳化硅,紛紛簽署長期供貨協(xié)議。日前,意法半導體和三安光電擬出資32億美元(約合人民幣228億元)在重慶合資建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工廠。項目計劃于2025年完成階段性建設并逐步投產,2028年達產,規(guī)劃達產后生產8英寸碳化硅晶圓1萬片/周。同時,三安光電將利用自有碳化硅襯底工藝,單獨建造和運營一個新的8英寸碳化硅襯底制造廠,以滿足該合資廠的襯底需求。

今年5月初,英飛凌分別與國內碳化硅材料供應商天科合達、天岳先進簽訂長期協(xié)議,以獲取高質量且具有競爭力的6英寸碳化硅晶圓和晶錠,預計兩家公司的供應量都將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。

這不應該解讀為零星一兩家企業(yè)采取行動的獨立事件。今年2月,采埃孚與意法半導體達成碳化硅技術合作關系,將就此獲得世界一流碳化硅技術供應商的長期協(xié)助;當月,采埃孚還與Wolfspeed建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,計劃建立聯(lián)合創(chuàng)新實驗室,推動碳化硅系統(tǒng)和設備技術在出行、工業(yè)和能源應用領域的進步;4月,采埃孚宣布,自2025年起將從意法半導體采購碳化硅器件,集成到當年投入批量生產的新型模塊化逆變器架構中。

今年5月底,緯湃科技與安森美宣布了一項長達10年的碳化硅產品供應協(xié)議,價值19億美元;6月,其又與羅姆簽署碳化硅功率元器件長期供貨合作協(xié)議,雙方在2024~2030年的交易額將超過1300億日元。

在中科院戰(zhàn)略咨詢院產業(yè)科技創(chuàng)新中心汽車行業(yè)特聘研究員鹿文亮看來,碳化硅的生產工藝較難、產能較低、成本較高,供應很不穩(wěn)定,這很有可能成為限制汽車行業(yè)大規(guī)模應用的關鍵因素。


國產化加速推進

碳化硅應用前景廣闊,國內企業(yè)也看準了這個賽道?!暗翘蓟杈w生長極其困難,20世紀90年代只有少數發(fā)達國家掌握晶體生長和加工技術,我國碳化硅技術起步相對較晚,目前國內企業(yè)正在碳化硅領域奮起直追?!标愋↓堈f。



集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕介紹說,以6英寸碳化硅襯底為例,國內良品率大概有40%,海外有60%~70%。另外,碳化硅半導體場效應晶體管分為平面類和溝槽類,在同等條件下,溝槽類更具備成本和性能優(yōu)勢,但國內企業(yè)需要跨過巨大的專利鴻溝。

業(yè)內人士指出,當前碳化硅的下游需求依舊旺盛,特別是車用級碳化硅襯底產能仍偏緊,國內業(yè)界對于碳化硅國產替代的呼聲非常高。國家也意識到了這個問題,在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中提出,將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產業(yè)化進程,催生一批高速成長的新材料企業(yè)。更值得注意的是,目前已有要對中國禁售碳化硅等產業(yè)高精尖設備的跡象,所以碳化硅國產化之路勢在必行。

現(xiàn)在業(yè)內已經紛紛行動起來,布局碳化硅產業(yè),加入碳化硅的國產化隊伍。據不完全統(tǒng)計,2022年國內新立項、簽約的碳化硅項目投資額超過476億元,而2018年這個數字還只有50億元。

業(yè)內人士指出,隨著未來兩三年產能密集釋放,國內碳化硅市場供需將會趨于平衡,成本將加速下降。屆時,國內碳化硅中低端產品的市場競爭或將更加激烈,業(yè)內需要在技術突破上重點發(fā)力,實現(xiàn)彎道超車和自主可控,縮小與國際巨頭的差距,爭取在碳化硅高端市場分得一杯羹。