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認清現(xiàn)實,芯片堆疊技術我們并不先進,救不了中國芯

2022-12-30 來源:互聯(lián)網亂侃秀
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關鍵詞: 集成電路 華為海思 TAMC

眾所周知,當芯片工藝提升,快要達到極限時,越來越多的廠商,就另想它法,來為摩爾定律續(xù)命了。

比如芯片堆疊,Chiplet技術等,通過幾塊芯片,整合成一塊,最終在工藝不斷的情況下,達到性能提升的目標。

特別是國內,很多人都認為,芯片堆疊或Chiplet技術,是我們彎道超車的方向之一,能夠挽救當前工藝暫時無法提升的中國芯。

事實上,芯片堆疊也好,Chiplet技術也好,其本質是3D封裝技術,那么問題就來了,目前在3D封裝這一塊,究竟誰最厲害?誰的專利最多?

結果是很遺憾的,那就是國內的企業(yè)在先進3D封裝這一塊,還是落后的,所以大家認為的我們可以用芯片堆疊、Chiplet技術彎道超車,真不現(xiàn)實,因為別人比你更厲害,你怎么彎道上超車?

先給一個數(shù)據(jù),這是2021年半導體廠們用于先進封裝技術的資本支出,前5名分別是英特爾、臺積電、日月光、三星、安可。這5大廠商,貢獻了91%的資本支出。

而國內的長電、通富貢獻的資本支出約為9%,還不及英特爾的三分之一。沒有錢,哪來的先進技術?

再說先進技術這一塊,臺積電的CoWoS封裝技術已發(fā)展到第五代,臺積電已將自身的先進封裝技術整合為了3DFabric技術平臺,包含臺積電前端的SoIC技術和后端CoWoS、InFO封裝技術。

而三星的先進封裝技術,包括I-Cube、X-Cube、R-Cube和H-Cube四種方案。其中R-Cube和H-Cube是2.5D封裝技術,而X-Cube是3D封裝技術。

英特爾在2014年就有了2.5D封裝技術EMIB,后來在2018年又發(fā)布了Foveros 3D封裝技術,可以實現(xiàn)芯片的各種堆疊方案。2019年,英特爾又發(fā)布了新的三大先進封裝技術,分別為Co-EMIB、ODI和MDIO。

從目前行業(yè)情況來看,英特爾、三星、臺積電這三家芯片制造巨頭,才是先進封裝的第一梯隊,而封測廠其實已經慢慢落后為第二梯隊了。

所以目前在芯片堆疊、Chiplet等技術上,也是晶圓廠們在領先,畢竟制造處于更前端,至于封測已經難以具備前端優(yōu)勢了,落后于第一梯隊了。

而芯片堆疊、什么Chiplet技術,其實就是拼的3D封裝,在這種情況下,你覺得我們能彎道超車么?

所以請大家現(xiàn)實點,認清自己的差距,努力去追趕,不要總想著某一項新技術拿出來彎道超車。在基礎本來就弱于別人的情況下,基本是沒彎道超車的可能,你覺得呢?