SQ2348ES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SQ2348ES-T1_GE3 是一款N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)實用的SOT-23封裝，專為現(xiàn)代高效率電路設(shè)計。該器件具備30V的漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達(dá)5.8A的連續(xù)漏極電流(ID)，并擁有出色的低導(dǎo)通電阻性能，僅為22mR(RD(on))。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及多種高功率電子系統(tǒng)，這款MOS管憑借卓越的電流承載能力和高效能表現(xiàn)，成為您設(shè)計中的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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