SQ2308CES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SQ2308CES-T1_GE3 N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計打造。器件具備強大性能參數(shù)最大漏源電壓(VDSS)高達60V，持續(xù)電流(ID)高達3A，且導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為72mΩ，確保在高負荷條件下仍能保持優(yōu)異的能源效率和散熱性能。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等應(yīng)用場景，以出色的效能和穩(wěn)定性，為您提供電路設(shè)計的上乘之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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